中科院“等离子体浸没离子注入制备黑硅及太阳电池技术研究”顺利通过验收

 10月12日，由中科院微电子研究所承担的中科院知识创新工程重要方向项目“超临界循环流化床关键技术及富氧燃烧研究”通过验收。

验收会由中科院前沿局组织，在中科院嘉兴微电子仪器与设备工程中心举行。上海交通大学沈文忠教授担任验收组组长，来自中山大学、浙江大学、中科院上海微系统所、中科院苏州纳米所等单位的八位专家组成验收组。

“超临界循环流化床关键技术及富氧燃烧研究”项目执行期为2011年6月至2013年5月，项目组按要求经过两年的精心组织和团队共同努力，利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料，并对黑硅太阳能电池进行研究，最终按期完成了全部研究任务，达到了任务书规定的全部考核指标。项目执行期间，科研人员创新性地采用等离子体浸没离子注入方法制备黑硅，制备的多晶硅片反射率低至1%（在可见光波段内），表面微观结构和反射率可控。此外，对多晶黑硅电池进行了系统的研究，研制的多晶黑硅电池转换效率最高达18.3%，且小批量试产工艺稳定，并在项目期间进行了中试研究和示范性应用。该项目共申请国家发明专利20件、国际专利6件；发表学术论文15篇；引进中科院“百人计划”人才2人，培养中科院青年创新促进会会员2人，培养博士、硕士研究生8名。

验收组认真听取了项目负责人的汇报，审阅了项目组提交的验收材料，经过充分讨论、质询和评议，一致同意该项目通过验收，并对项目组取得的研究成果给予高度评价，认为该项目的完成将对现有晶硅太阳能电池生产线进行升级优化，提高我国太阳能电池装备领域的技术水平，为在光伏领域获得自主知识产权做出贡献，为我国光伏产业进一步发展、升级提供必要的技术积累，具有前瞻性和深远的战略意义。