2024年2月9日德国亥姆霍兹柏林能源与材料研究中心Qiong Wang等于JACS发文，详细报道了经干燥和环境空气退火处理的 CsPbI₃ 薄膜的表面分析，以及它们在钙钛矿太阳能电池中后续改性界面的情况。我们发现，在环境空气中退火并不会对半导体薄膜的光电性能产生不利影响;相反，经环境空气退火处理的样品会发生表面改性，通过硬 X 射线光电子能谱测量确定，这会导致能带弯曲增强。我们观察到界面载流子动力学发生变化，从而改善了CsPbI₃钙钛矿太阳能电池中的载流子提取。光谱测量表明，由于环境空气退火，陷阱态密度降低。因此，基于空气退火CsPbI₃的n-i-p结构器件实现了19.8%的功率转换效率，开路电压为 1.23 V。
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