华东师范大学方俊峰最新AM：25% 倒置钙钛矿太阳能电池的衬底诱导 p-n 跃迁

半导体材料的p型或n型性质直接决定光电器件的最终性能。一般来说，沉积在p型基底上的钙钛矿倾向于p型，而沉积在n型基底上的钙钛矿倾向于n型。鉴于此，华东师范大学的李晓东和方俊峰教授团队在期刊《Advanced Materials》发文，题为“Substrate Induced p–n Transition for Inverted Perovskite Solar Cells”，本文报道了一种基底诱导重生长策略，用于在倒置型PSCs中诱导钙钛矿表面的p到n型转变。首先在p型基底上生长并结晶p型钙钛矿薄膜，然后将涂有饱和钙钛矿溶液的n型ITO/SnO2基底压在钙钛矿薄膜上并进行退火处理，以诱导钙钛矿表面区域的二次重生长。这种策略实现了钙钛矿表面区域的p到n型转变，并在钙钛矿表面区域引入了一个额外的pn结，从而增强了内建电势并促进了PSCs中的载流子提取。实验结果显示，采用基底诱导策略的倒置型PSCs展现出超过25%的高效率和良好的操作稳定性，在65°C下按照ISOS-L-2协议进行最大功率点(MPP)跟踪800小时后，仍能保持超过90%的初始效率。