提高结的质量对于优化半导体器件中的载流子提取和抑制复合至关重要。近年来，金属卤化物钙钛矿正在成为最有前途的下一代光电器件材料。然而，高质量钙钛矿结的构建，以及对其载流子极性和密度的表征和理解仍然是一个挑战。
在这项研究中，上海科技大学的宁志军和Ji Qingqing等人利用电学和光谱表征相结合的技术，研究了远程分子对钙钛矿薄膜的掺杂特性，理论模拟证实双离子组成的肖特基缺陷是有效的电荷掺杂剂。通过涉及双铵和单铵分子组合的后处理过程，我们创建了n型低维钙钛矿的表层。该表面层与下面的3D钙钛矿薄膜形成异质结，从而产生有利的掺杂曲线，从而增强载流子提取。
基于低维处理的器件具有高达1.34 V 的出色开路电压 (VOC)，单结宽带隙 (1.77 eV) 钙钛矿太阳能电池的认证效率为19.31%，由于改进了载流子的分离，显著增强了操作稳定性。此外，在钙钛矿/钙钛矿串联太阳能电池中实现27.04%的认证效率和 2.12 V的VOC，这一结果来展示这种宽带隙器件的巨大潜力。
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