本文主要研究一种基于硼扩散的多晶硅太阳能电池背钝化工艺，该工艺可有效的提高多晶电池Uoc可达10mV。采用硼扩散后形成的硼掺杂层(BSG)作为多晶电池背面钝化工艺。在工艺上采用和磷扩散工艺类似的工艺步骤，通过优化沉积时间，推进氧化过程中的O2，N2流量等，达到最佳的Uoc提升效果，经过优化后的背面钝化工艺可以有效提高多晶电池的转换效率0.5%，从而实现了在多晶电池提高电池效率的目的。
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本文主要研究一种基于硼扩散的多晶硅太阳能电池背钝化工艺，该工艺可有效的提高多晶电池Uoc可达10mV。采用硼扩散后形成的硼掺杂层(BSG)作为多晶电池背面钝化工艺。在工艺上采用和磷扩散工艺类似的工艺步骤，通过优化
