多晶硅由于结构的各项同性而使采用碱腐蚀织构化效果不好，日本京瓷（Kyocera）公司采用PECVD/SiN+表面织构化采用反应性等离子刻蚀技术(RIE)。
而扩散则采用双面扩散的方法，背面重扩散达到吸杂的效果，以提高电荷的收集率。
1996年效率达到17.1%，到了2004年，233cm2大面积多晶硅电池效率达17.7％。
去年利用背接触型结构达到18.5％的效率(面积为150mm* 155mm，采用黑色背板，减小布线的宽度，使模块整体呈黑色)。已实现商业化。
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