区熔硅单晶

本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon)

通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度，晶格结构完美的硅单晶，晶体生长过程中不引入任何杂质，其电阻率通常在1000Ω?cm 以上，主要用于制作高反压器件和光电子器件。

中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon)

本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶，保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等，是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料，也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。

气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon)

利用杂质的扩散机理，在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质，从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题，可得到N型或P型、电阻率范围0.001-300Ω.cm，电阻率均匀性与中子辐照相当的气掺硅单晶，其电阻率在适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。

直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon)

采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶，产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片，其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片，太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上，并更为广泛的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。

区熔硅单晶规格

FZ monocrystalline silicon specification

硅片规格

Wafer specification