直拉硅单晶

直拉硅单晶(CZ-Silicon)

重/轻掺直拉硅单晶适用于制作各类集成电路、二极管、 三极管、绿色能源太阳能电池等。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)，制作出特殊器件需要的高效、抗辐射、抗衰减的 太阳能电池用材料。

磁场直拉硅单晶(MCZ)

将磁场用于直拉工艺，生产出具有低氧含量、高电阻率均匀性的直拉单晶，适用于制作各类集成电路器件、各类分立器件，低氧太阳能电池的硅材料。

重掺杂硅单晶(CZ heavily doped crystal)

采用特殊掺杂装置及直拉工艺，可制备出电阻率极低的掺磷、砷、锑(P、Sb、As)的重掺直拉硅单晶，主要用作外延片的衬底材料，用于制造超大规模集成电路开关电源、肖特基、二极管和场控高频电力电子器件等特殊电子器件。

特殊晶向直拉硅单晶

硅单晶产品具有原始晶向，不需二次加工调整晶向，具有晶格结构完美，氧碳含量低等特点，是一种新型的太阳能电池材料，也可以用于新一代电池材料。

直拉硅单晶规格

CZ monocrystalline silicon specification

硅片规格

Wafer specification