大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布,将销售采用新一代半导体元件SiC(碳化硅)的功率MOSFET(金属氧化物半导体型场效应晶体管)“SCT30N120”。新产品的工作温度为200摄氏度,达到业界最高水平,耐压实现了1200伏。计划用于光伏发电用功率调节器(PSC)等。
功率半导体元件采用SIC的优点是,与以往的硅功率半导体元件相比,可降低能量损失。意法半导体称,最少可降低50%。
此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT(绝缘栅双极晶体管)。其作用是将太阳能电池板发电的直流电转换成高电压的交流电。
与硅IGBT相比,其优点包括无需使用专用驱动电路即可转换:能以更高的频率工作,可削减PCS功率单元内其他部件的尺寸。由此,可实现PCS功率单元的低成本和小型化,还能提高转换效率。
新产品目前正在样品供货,预定6月开始量产。采用为提高温度特性而自主研发的HiP247封装。批量购买1000个时的价格约为35美元。
日本国内外的厂商都在开发半导体元件采用SiC的功率半导体产品。今后,如果价格能降低,除了控制马达的逆变器外,还有望得到光伏发电用PCS的全面采用。
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