2025年7月25日国家知识产权局信息显示，北京晶澳太阳能光伏科技有限公司申请一项名为“一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法”的专利，公开号CN120379383A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法可包括：提供硅基体，硅基体的第一主表面具有交替设置的第一导电区和第二导电区，以及位于相邻第一导电区和第二导电区之间的电隔离区；第一导电区和电隔离区形成具有第一掺杂元素的载流子收集层；在第二导电区和载流子收集层外侧顺序层叠形成本征含硅膜层和具有第二掺杂元素的掺杂含硅膜层；利用第一功率的激光去除对应于第一导电区的本征含硅膜层和掺杂含硅膜层；利用第二功率的激光照射对应于电隔离区的掺杂含硅膜层，使掺杂含硅膜层转换为第一绝缘玻璃层，第二功率小于第一功率，该制备方法制备的背接触异质结太阳能电池的隔离区也不容易出现漏电的问题。
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