SoLayTec所推出的InPassion ALD可在沉积层厚度和产量方面实现较大的灵活性。氧化铝ALD质量及硅片间厚度差据称小于4%,并且环绕边宽小于1mm。InPassion ALD主要应用在p型和n型电池的前后表面氧化铝沉积工艺中。
同时SoLayTec介绍,他们的客户使用RENA-SoLayTec设备制备的三氧化二铝(Al2O3)钝化研发的p型硅片转换效率超过20%。制造商期望最终能过渡到大规模生产PERC光伏晶硅电池。
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