捷佳伟创射频微晶P高速率高晶化率镀膜工艺再获突破

近日，捷佳伟创常州HJT中试线成功研发出具有行业先进水平的射频(RF)微晶P工艺，微晶P薄膜沉积速率超过2埃/秒，同时晶化率稳定在50%以上。常州中试线制备的基于双面微晶的12BB异质结电池平均效率达到25.1%(德国ISFH(哈梅林)标准)，电池良品率稳定在98%以上。

射频(RF)微晶P的高速高质量沉积，一直是困扰异质结大产能板式PECVD的技术难点，通过本次技术突破，捷佳伟创的大产能射频板式PECVD预计将比市面上主流设备减少1-2个微晶P腔体。射频(RF)微晶P设备工艺均匀性达到6%以内，稳定性和重复性均在中试线量产设备上得到充分验证，达到行业先进技术水平。

一直以来，捷佳伟创在积极推进HJT的产业化发展。公司在湿法设备、PECVD/CAT-CVD、PVD/RPD/PAR、丝网印刷/铜电镀/新型组件焊接设备方面进行深入研究，具备HJT电池整线交钥匙工程的能力。公司近期已中标全球头部光伏企业量产型HJT整线订单，标志着公司在HJT全路线装备和工艺技术上取得突破，获得市场及客户认可。

此次射频(RF)微晶P高速率高晶化率工艺取得突破，进一步增强了公司在HJT设备领域的竞争优势。捷佳伟创始终坚持实干与创新为一体，坚持“逢山开路，遇河架桥”的创新精神，积极改革设备技术、持续扩大研发范围，为光伏行业的稳定发展注入生生不息的源动能。