晶澳：已获信越化工掺杂镓的专利！

单晶硅的LID衰减主要是由电池片中的B-O(硼氧对)对引起的，而厂家通常是通过降低硅片中的氧含量、采用掺镓、掺硼、光照+退火等方法可以有效抑制光衰。

与常规的掺硼相比，镓掺杂更视作一种防止光诱导降解(LID)的有效方法，但由于其高成本限制，一直并未成为市场主流。

而这次，晶澳的举动却似乎在向大家证明：在p型组件生产中，镓掺杂可以成为一种有效的LID解决方案。

“将掺杂Ga的硅片用于太阳能电池无疑会提高太阳能电池和光伏组件的性能，并提高其长期可靠性。” 晶澳董事长靳保芳说，“我们非常感谢信越化学授予晶澳掺镓的晶体硅技术的知识产权权利，这对于晶澳引进先进技术和支持该行业的知识产权保护而言，是重要的一步。”