科学家声称他们能够开发出高质量薄膜单晶硅，厚度约10μm，晶体缺陷密度也有所降低。硅的密度已经降低到了硅晶圆纯度的水平。
研究小组解释说，具有高结晶质量的单晶薄膜是通过区域加热重结晶法(ZHR法)使硅片表面粗糙度达到0.2至0.3nm而获得的。“使用双层多孔硅层可以容易地剥离生长的薄膜，而且得到的基底可以被再利用或者用作薄膜生长的蒸发源，这大大减少了材料的损耗。”
据科学家介绍，这一实验过程同时还证明了在0.1-0.2nm范围内的硅片表面粗糙度对晶体缺陷密度的形成具有重要的影响。
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来自日本东京工业大学和早稻田大学的一个研究小组已经开发出一种生产薄膜单晶硅太阳能电池的新技术，该技术有望显著降低生产成本，同时保持电池的转化效率。科学家声称他们能够开发出高质量薄膜单晶硅，厚度约10m，
