如何看待长晶技术新趋势？业界权威这样预测

此次论坛由亚化咨询主办，云集了协鑫、隆基、阿特斯、荣德等主流长晶企业技术专家，精功科技、晶盛机电、GTAT等设备制造商负责人，以及浙江大学、江苏大学教授等权威专家。众多“大咖”一起畅谈未来长晶技术发展新趋势。

多晶黑硅PERC是促进平价上网的有力武器

江亚俐预测，保守估计2018-2020年全球光伏装机量为96.8吉瓦、123吉瓦、146.4吉瓦;乐观预测分别为107.2吉瓦、138.3吉瓦、165.4吉瓦。单晶产能快速增长，并以下调价格的方式获取市场份额，2020年单多晶市场份额达到平衡。

2018年，金刚线技术在多晶领域的全面推广成为光伏产业的里程碑事件，“金刚线技术的应用，助力多晶硅片成本大幅下降，占比由2017年的37%提升到2018年的99%。黑硅技术解决了多晶金刚线切制绒问题，其中湿法黑硅占比56%”，江亚俐表示。

阿特斯技术总监王栩生表达了类似的观点，他在《阿特斯高效多晶技术与战略》报告中认为，金刚线切片在多晶上的应用是个巨大的宝藏，降本达29%，而黑硅是打开宝藏的钥匙。目前湿法黑硅技术已经完全成熟，其量产设备达到200台，产能达到25吉瓦以上，且黑硅制绒直接替代常规酸制绒，无需增加工序。

王栩生表示，其多晶黑硅P4产品已经实现吉瓦级量产，60片组件功率超过300瓦。P4量产电池效率达到20.4%，未来将达到21%，度电成本较单晶PERC下降1.2%;组件经长期户外测试平均光衰仅1%，且弱光响应好。此外，其多晶P5超高效硅锭技术电池平均效率已达21.1%，达到技术领跑者满分要求。

“黑硅PERC技术可以达到1+1>2的效果”，荣德新能源技术负责人常传波在《更适合于PERC工艺和金刚线切割的高品质多晶硅锭制造技术》报告中表示，单纯黑硅技术提效0.4%，PERC技术提效0.85%，但是多晶黑硅+PERC技术可以提效1.45%。而且，通过共掺低阻、控制金属杂质，可以有效降低多晶PERC工艺光衰。

铸锭单晶产品性价比持续提升

“更低氧含量、更低衰减、无缺角，铸锭单晶产品性价比优势非常明显”，江苏协鑫硅材料总经理游达博士在《GCL铸锭单晶技术进展》报告中表示。

游达博士认为，多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以采用碱制绒工艺，采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势。部分下游客户使用反馈，叠加PERC技术后，铸锭单晶与Cz单晶效率差最少仅为0.18%，而成本大幅降低。而且，数据显示，铸锭单晶光衰比Cz单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。

“铸锭单晶硅片还可以更好的兼容下游终端产品，由于不存在缺角，其硅片面积100%可利用，比Cz单晶面积大2%。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。在同功率输出的条件下，铸锭单晶组件价格比Cz单晶低0.06元/瓦，度电成本低0.006元/度。”游达博士表示。

阿特斯在铸锭单晶方面也有较大进展，王栩生表示，阿特斯P5超高效多晶硅锭技术采用籽晶引晶，铸锭单晶面积达到95%以上，采用湿法黑硅技术解决非全单晶硅片制绒问题，以多晶的成本达到单晶的品质。

CCz是直拉单晶技术的发展方向

近两年，单晶PERC的市场份额增速很快，成为主流光伏技术路线。“但是单晶PERC有更严重的硼-氧光致衰减问题，可以造成6%的功率损耗”，GTAT长晶总监徐瀚博士在《CCz连续直拉单晶技术》报告中认为，“低阻片(重掺硼)会提高PERC电池效率，但也会增加光致衰减，通过掺镓可以解决。但是，掺镓会导致超宽的电阻率，从而增加生产成本。CCz(连续直拉技术)可以完美解决这一难题。”

徐瀚博士表示，由于连续投料和掺杂，CCz技术可以得到非常均匀的轴向电阻率分布，氧含量更低且更均匀、少子寿命也更加一致，这使得CCz单晶硅片更适用于高效N型和镓掺杂的P型电池。

隆基股份硅片事业部副总裁谢天在《高效电池用单晶硅材料的挑战与解决之道》报告中也表示，未来高效产能将逐步增加，但目前高效单晶面临的主要挑战是光衰问题。谢天表示看好未来CCz技术的发展，他认为，电阻率更加集中是CCz的优势，而且目前坩埚的问题已经解决。但CCz技术同时面临多晶硅破碎料的供给不足、锅底料金属含量升高(少子寿命降低)、碳含量升高等难题，如果克服这些问题，CCz技术将有非常好的发展前景。