叠加PERC 铸锭单晶与Cz单晶效率差仅为0.18% 成本更低

“更低氧含量、更低衰减、无缺角，铸锭单晶产品性价比优势明显”，7月27日，在上海市太阳能学会年会暨先进技术集成研讨会上，江苏协鑫硅材料科技发展有限公司技术服务部经理黄春来作《GCL铸锭单晶技术进展》报告。他认为，铸锭单晶产品兼具多、单晶技术优点，和Cz单晶相比，将为客户带来更多价值。

黄春来认为，多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以采用碱制绒工艺，采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势。下游客户使用反馈，叠加PERC技术后，铸锭单晶与Cz单晶效率差仅为0.18%，而成本大幅降低。

“铸锭单晶产品的低光衰源于铸锭工艺特性和掺镓技术”，黄春来表示，数据显示，常规硼掺杂铸锭单晶硅片的氧含量仅为Cz单晶硅片的40%，可显著降低硼氧复合导致的光致衰减;另一方面，铸锭单晶通过采用镓元素部分代替硼元素，可以从源头上减少硼氧复合体的产生，光衰比Cz单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。

黄春来表示，铸锭单晶硅片还可以更好的兼容下游终端产品，其平台技术可自由叠加半片、叠瓦、双玻双面等电池和组件技术，由于不存在缺角，半片组件比Cz单晶组件更美观;在不允许缺角的叠瓦组件制造时，其硅片面积100%可利用，比Cz单晶面积大2%。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。

以Cz单晶组件为基准，黄春来测算了铸锭单晶组件的度电成本。数据显示，在同功率输出的条件下，铸锭单晶组件价格比Cz单晶低0.06元/瓦，度电成本低0.006元/度。

黄春来介绍，保利协鑫2011年即开始研究铸锭单晶技术，已经发布第三代产品。目前，保利协鑫铸锭热场工艺、锭检设备、产品品质全面升级，对称性热场，分段式加热控制有效降低位错，实现高品质整锭单晶。继金刚线切黑硅片之后，铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品。