Spire获300万设计III-V太阳能电池

2008-11-06 10:33:59 Spire获300万设计III-V太阳能电池-索比光伏网微信分享

    Spire Semiconductor赢得美国政府的资金,重新设计化合物半导体电池,努力削减成本并提高效率。Microlink Devices表示它利用MOCVD技术和一些独特的工艺步骤——包括将外延片下的衬底剥离——将太阳能电池中的GaAs用量最小化。在9月29日美国DoE宣布该工厂获得297万美元的资助用于Solar America Initiative下面的光电模块孵化项目。该项目为期18个月,Spire在GaAs衬底上使用“双面”电池,优化器件结构层的光学特性使它与太阳能光谱匹配,最终能将太阳能转换效率提升到42%以上。

 

    这个项目打算建立电池生产线,使得年发电量高达50MW,DOE股及到2012年输出量能达到250MW。

 

    另:Spectrolab日前向Veeco订购多套MOCVD设备,生产砷化物和磷化物半导体系统。

特别声明:索比光伏网转载其他网站内容,出于传递更多信息而非盈利之目的,同时并不代表赞成其观点或证实其描述,内容仅供参考。版权归原作者所有,若有侵权,请联系我们删除。凡来源注明索比光伏网或索比咨询的内容为索比光伏网原创,转载需获授权。

相关推荐

图片正在生成中...

索比光伏网
06 2008/11

Spire获300万设计III-V太阳能电池

Spire Semiconductor赢得美国政府的资金,重新设计化合物半导体电池,努力削减成本并提高效率。MicroLink Devices表示它利用MOC

索比光伏网Logo