Spire Semiconductor赢得美国政府的资金,重新设计化合物半导体电池,努力削减成本并提高效率。Microlink Devices表示它利用MOCVD技术和一些独特的工艺步骤——包括将外延片下的衬底剥离——将太阳能电池中的GaAs用量最小化。在9月29日美国DoE宣布该工厂获得297万美元的资助用于Solar America Initiative下面的光电模块孵化项目。该项目为期18个月,Spire在GaAs衬底上使用“双面”电池,优化器件结构层的光学特性使它与太阳能光谱匹配,最终能将太阳能转换效率提升到42%以上。
这个项目打算建立电池生产线,使得年发电量高达50MW,DOE股及到2012年输出量能达到250MW。
另:Spectrolab日前向Veeco订购多套MOCVD设备,生产砷化物和磷化物半导体系统。
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