“我们很高兴GT能被选择为QSE提供HiCz(TM)200单晶熔炉,”GT太阳能业务部行政副总裁Dave Keck表示。 “我们领先的HiCz技术被中东及北非地区首个垂直一体化光伏制造厂所采用,对GT来说这是一个令人兴奋的机会。 GT的 HiCz 200熔炉可望生产效率超过22%的优质n型太阳能电池片。”
HiCz是GT专有的新一代光伏行业的单晶直拉炉,可生产p型及n型单晶晶棒。 HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势,使得其更适合n型硅锭生产。 HiCz长晶工艺生产更长的晶棒、材料均匀性更高、电阻率更低。 该工艺流程通过增加产量降低晶片的成本,提高了材料品质,并有助于提高太阳能电池片的效率。
关于GT Advanced Technologies Inc.
GT Advanced Technologies Inc.是一家领先的多元化技术公司,专门为全球消费类电子产品、功率元器件产品、太阳能及LED行业生产先进材料及创新晶体生长设备。其技术创新让更多的先进材料可以加快投入市场使用,并在全球各个不同市场催生新一代的产品面世。有关GT Advanced Technologies的更多信息,请浏览www.gtat.com。
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