GTAT宣布其前沿HiCz(TM)技术赢得光伏项目

GT Advanced Technologies Inc.近日宣布，其公司专有的新一代HiCz连续加料直拉技术赢得了一个新项目，可望促进太阳能产业向更高效率及更低成本的太阳能材料过渡。 公司与Qatar Solar Energy(QSE)达成协议，向QSE于卡塔尔在多哈的集成光伏制造项目提供HiCz(TM)200熔炉。 QSE在最近的一份新闻稿中表示，QSE已实现了300 MW产能的综合设施，并将进一步扩大至2.5 GW。 该供应协议须待QSE通过政府批准及融资成功后方可作实，届时GT将获得来自QSE的设备订单。

“我们很高兴GT能被选择为QSE提供HiCz(TM)200单晶熔炉，”GT太阳能业务部行政副总裁Dave Keck表示。 “我们领先的HiCz技术被中东及北非地区首个垂直一体化光伏制造厂所采用，对GT来说这是一个令人兴奋的机会。 GT的 HiCz 200熔炉可望生产效率超过22%的优质n型太阳能电池片。”

HiCz是GT专有的新一代光伏行业的单晶直拉炉，可生产p型及n型单晶晶棒。 HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势，使得其更适合n型硅锭生产。HiCz长晶工艺生产更长的晶棒、材料均匀性更高、电阻率更低。该工艺流程通过增加产量降低晶片的成本，提高了材料品质，并有助于提高太阳能电池片的效率。