IMEC在Ge衬底上制成GaAs太阳能电池 转换效率高达24.7%

2008-02-29 10:43:59 IMEC在Ge衬底上制成GaAs太阳能电池 转换效率高达24.7%-索比光伏网微信分享
      IMEC实现了在锗衬底上制造单结砷化镓(GaAs)太阳能电池,转换效率创记录地达到24.7%。该转换效率由美国国家可再生能源实验室(NREL)测量及认证。GaAs太阳能电池可用于卫星太阳能面板和地表太阳能聚集器。

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29 2008/02

IMEC在Ge衬底上制成GaAs太阳能电池 转换效率高达24.7%

IMEC实现了在锗衬底上制造单结砷化镓(GaAs)太阳能电池,转换效率创记录地达到24.7%。该转换效率由美国国家可再生能源实验室

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