日本科学技术振兴机构(JST)、理化学研究所和京都大学12月2日宣布,开发出了新型半导体材料,可将由涂布型有机半导体制成的有机薄膜太阳能电池的光能损失,降至与采用无机半导体的太阳能电池相当的水平。
普通的有机薄膜太阳能电池(左)与采用此次的PNOz4T的太阳能电池(右)因消除了有机薄膜太阳能电池特有的驱动力造成的能源损失,所以光能损失减小,电压升高(出处:JST)
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日本科学技术振兴机构(JST)、理化学研究所和京都大学12月2日宣布,开发出了新型半导体材料,可将由涂布型有机半导体制成的有机薄膜太阳能电池的光能损失,降至与采用无机半导体的太阳能电池相当的水平。
普通的有机薄膜太阳能电池(左)与采用此次的PNOz4T的太阳能电池(右)本站标注"来源:碳索光伏网"或"索比咨询"的作品,均属www.solarbe.com合法享有版权或已获授权的内容。未经书面许可,任何单位或个人不得以转载、复制、传播等方式使用。
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