黑硅风潮再起 降本提效双赢

随着去年下半年单晶硅片的让利抢占市场效果显著，多晶硅片庞大的产能也欲以金刚线切降本以扳回一城。这样的热潮在各大垂直整合厂近日的财报会议也可见一斑，市场讨论金刚线切多晶硅片以及黑硅技术的热度又再燃起。

虽太阳能业界探讨金刚线切多晶硅片已行之有年，但过于光亮的硅片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面制绒的工艺处理，业界普遍称之为黑硅技术。其中又以干法制绒的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法制绒的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）各据一方。

除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅片端降本、电池片端提效两方面都同时兼顾。

而RIE技术在比太科技的加入后更臻成熟。首先，其绒面能从先前200奈米开口提升至400奈米，且倒金字塔绒面强、也利于陷光。另外，较黑的电池片也提升了弱光性的表现，同时增加了长、短波光的吸收，让电池片的效率提升更加显著。

黑硅技术设备商常州比太科技CEO上官泉元表示：“今年比太已预期接获1GW的订单，不论是在量产性、或是导入成本与提效的效果上，RIE都是目前最成熟、也最能获得效益的黑硅技术。”从目前比太与P型技术领导厂商之一晶澳合作看来，不仅量产顺利、电池片产出也能与现有机台搭配，达到每小时3600片电池片的产出。以目前估算每瓦仅需提升US$0.007的成本、却能助每片组件瓦数再向上提升5W来说，不失为性价比极高的新技术选项。

市场单多晶之争越演越烈，为持续以成本优势稳居市场主流地位，多晶硅片转换为金刚线切割来更进一步降低成本已到了非做不可的时机，而黑硅技术即成为必然的选项。除了降低成本之外，多晶转换效率的提升也是一项重要课题。目前单晶275~280W组件价格仅约US$0.54/W左右，大大压缩了多晶PERC产品的生存空间，而干法制绒技术能在每瓦成本提升不多的情况下帮助多晶组件瓦数再向上提升一个档次，也将更吸引厂商加速导入黑硅技术的速度。然黑硅技术目前在干法与湿法黑硅技术都还有部分细节问题待市场验证，而今年陆续有一线大厂导入的干法黑硅技术，有望因为产业领导厂商的登高一呼而成为今年市场最火热的新技术。